Производитель компьютерных технологий и плат расширения SK Hynix в не таком уж далеком прошлом был известен в качестве одного из наиболее активных инноваторов в сфере развития технологий оперативной памяти и карт памяти самого разного типа – и сейчас компания продолжает время от времени радовать компьютерных энтузиастов новыми релизами и экспериментами в направлении развития чипов памяти. Сегодня, к примеру, стало известно о том, что компания SK Hynix наконец-то завершила предварительный этап разработки нового формата многослойных плат 4D NAND с 512-гигабитным тройным уровнем пропускной способности и действительно интересным по функционалу контроллером памяти.
Стоит отметить тот немаловажный факт, что SK Hynix в последнее время в основном сосредотачивается на улучшении собственных продуктов, вместо того, чтобы взаимодействовать со сторонними партнерами и их разработками – и такой подход в самом деле кажется более рациональным, как в краткосрочной, так и в долгосрочной перспективе. Что касается нового формата NAND-плат, то речь идет о разработке значительно более многофункционального и эффективного по производительности многослойного варианта платы памяти, которая может быть переквалифицирована и доработана как в платы оперативной, так и в платы флэш-памяти.
Пока что не вполне понятно, намеревается ли главная команда разработки вносить какие-либо дополнительные модификации и улучшения в новый формат 4D NAND-плат, однако можно с точностью сказать, что именно этот проект должен стать наиболее коммерчески успешным для компании в долгосрочной перспективе – в особенности, если она сможет быстро найти первый сегмент рынка сбыта.
Как бы там ни было, а компания продолжает экспериментировать с новыми чипами и многослойными платами, поскольку усматривает в этой работе нечто действительно показательное и интересное для конечного пользователя. Тем более, что ранее компания отметила свою заинтересованность в том, чтобы предоставить рынку как можно более разносторонний и многофункциональный вариант новых плат, которые в дальнейшем могли бы получить соответствующее развитие в плане применения в различных сторонних устройствах.
