Два крупных технических гиганта, а именно IBM вместе с Samsung, заявляют о том, что совместными усилиями они совершили прорыв в разработке полупроводников. Вдаваясь в подробности, в первый день конференции IEDM, проходящей в Сан-Франциско, обе компании представили совершенно новую конструкцию вертикального размещения транзисторов на кристалле. В современных процессорах и системах на чипе, если вы не в курсе, транзисторы лежат на поверхности кремния, благодаря чему электрический ток течёт из стороны в сторону. Тем временем вертикальные транспортные полевые транзисторы расположены перпендикулярно друг другу.
Это обеспечивает вертикальное течение тока. IBM и Samsung считают, что подобная конструкция имеет сразу два весомых и неоспоримых преимущества. Для начала, подобная структура позволит производителям обойти многие ограничения производительности и «расширить закон Мура» за пределы ранее установленного 1-нанометрового порога, считающегося пределом. Но что ещё более важно, так это то, что всё та же новоиспечённая конструкция приводит к меньшим потерям энергии благодаря протеканию по компонентам большего тока.
И если довериться оценкам, проведённым IBM и Samsung, повсеместное использование конструкции вертикального размещения транзисторов на кристалле приведёт к созданию процессоров, которые будут вдвое быстрее современных. Более того, данная, более высокая скорость будет достигнута ещё и при условии того, что такие чипы будут потреблять на внушительные 85 процентов меньше энергии, нежели чипы, разработанные на транзисторах FinFET. IBM и Samsung, помимо всего прочего, утверждают, что однажды данная архитектура может позволить смартфонам работать целую неделю без подзарядки.
Они также верят в то, что это также может сделать некоторые энергоёмкие задачи, включая криптомайнинг, более энергоэффективными и, следовательно, менее вредными для окружающей среды, а также менее затратным в плане оплаты этой самой электроэнергии. К сожалению IBM и Samsung пока-что не сообщили, когда же именно они планируют коммерциализировать столь революционную архитектуру. Но в любом случае следует понимать, что они не являются единственными компаниями, которые пытаются преодолеть барьер в 1 нанометр. К примеру, ещё в июле текущего года Intel заявила, что она намерена завершить разработку микросхем масштаба Ангстрема уже к 2024 году.
